DPG20C200PB
0 100 200 300 400 500
0
20
40
60
80
0 40 80 120 160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Kf
TVJ
[°C]
0 100 200 300 400 500
0
2
VFR
4
6
8
10
12
0
100
200
300
400
500
600
VFR
[V]
0 100 200 300 400 500
0
2
4
6
8
10
12
0 100 200 300 400 500
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
0
5
10
15
20
25
30
IRR
[A]
Qr
[μC]
IF
[A]
VF
[V]
-diF/dt [A/μs]
trr
[ns]
tfr
IRR
Qrr
-diF/dt [A/μs]
-diF
/dt [A/μs]
5 A
10 A
-diF/dt [A/μs]
tfr
[ns]
0.001 0.01 0.1 1 10
0
1
2
3
t[s]
ZthJH
[K/W]
0 100 200 300 400 500
0
2
J]
4
rec
6
8
10
E
[μ
-diF/dt [A/μs]
TVJ
= 25°C
125°C
150°C
Fig. 1 Forward current
IFversus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qr
versus -diF/dt
Fig. 3 Typ. reverse recovery current
IRR
versus -diF/dt
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Qrr,IRR
versus TVJ
Fig. 5 Typ. reverse recov. time
trr
versus -diF/dt
Fig. 6 Typ. forward recovery voltage
VFR
and tfr
versus diF/dt
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
Fig. 8 Transient thermal resistance junction to case
20 A
10 A
5 A
20 A
10 A
5A
TVJ=125°C
VR
=130V
TVJ=125°C
VR
=130 V
TVJ= 125°C
VR
= 130 V
TVJ= 125°C
VR
=130 V
TVJ= 125°C
I
F
= 10 A
VR
= 130 V
IF
=5 A
10 A
20 A
IF
= 20 A
Rthi
[K/W]
0.3866
0.7062
0.8127
0.3945
ti[s]
0.0004
0.0025
0.022
0.13
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131126a
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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